《富豪谷底翻身》是穷人的南柯一梦
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而且，富豪翻身像电视机里用到的铜等基础材料，也都在涨价。
该研究工作利用了XANES等技术分析了富含缺陷的四氧化三钴的化学环境，谷底从而证明了其中氧缺陷的存在及其相对含量。此外，南柯越来越多的研究工作开始涉及了使用XAS等需要使用同步辐射技术的表征，而抢占有限的同步辐射光源资源更显得尤为重要。
最近，富豪翻身晏成林课题组（NanoLett.,2017,17,538-543）利用原位紫外-可见光光谱的反射模式检测锂硫电池充放电过程中多硫化物的形成，富豪翻身根据图谱中不同位置的峰强度实时获得充放电过程中多硫化物种类及含量的变化，如图四所示。谷底Fig.5AbinitiocalculationsoftheredoxmechanismofLi2Mn2/3Nb1/3O2F.manganese(a)andoxygen(b)averageoxidationstateasafunctionofdelithiation(xinLi2-xMn2/3Nb1/3O2F)andartificiallyintroducedstrainrelativetothedischargedstate(x=0).c,ChangeintheaverageoxidationstateofMnatomsthatarecoordinatedbythreeormorefluorineatomsandthosecoordinatedbytwoorfewerfluorineatoms.d,ChangeintheaverageoxidationstateofOatomswiththree,fourandfiveLinearestneighboursinthefullylithiatedstate(x=0).Thedataincanddwerecollectedfrommodelstructureswithoutstrainandarerepresentativeoftrendsseenatalllevelsofstrain.Theexpectedaverageoxidationstategivenina-dissampledfrom12representativestructuralmodelsofdisordered-rocksaltLi2Mn2/3Nb1/3O2F,withanerrorbarequaltothestandarddeviationofthisvalue.e,AschematicbandstructureofLi2Mn2/3Nb1/3O2F.小结目前锂离子电池及其他电池领域的研究依然是如火如荼。它不仅反映吸收原子周围环境中原子几何配置，南柯而且反映凝聚态物质费米能级附近低能位的电子态的结构，南柯因此成为研究材料的化学环境及其缺陷的有用工具。
富豪翻身通过各项表征证实了蒽醌分子中酮基官能团与多硫化物通过强化学吸附作用形成路易斯酸是提升锂硫电池循环稳定性的关键。近日，谷底王海良课题组利用XANES等先进表征技术研究富含缺陷的单晶超薄四氧化三钴纳米片及其电化学性能（Adv.EnergyMater.2018,8,1701694）,如图一所示。
南柯Fig.3Collectedin-situTEMimagesandcorrespondingSAEDpatternswithPCNF/A550/S,whichpresentstheinitialstate,fulllithiationstateandhighresolutionTEMimagesoflithiatedPCNF/A550/SandPCNF/A750/S.材料物理化学表征UV-visUV-visspectroscopy全称为紫外-可见光吸收光谱。
XANES X射线吸收近边结构（XANES）又称近边X射线吸收精细结构（NEXAFS），富豪翻身是吸收光谱的一种类型。文献链接：谷底Determiningstructuralandchemicalheterogeneitiesofsurfacespeciesatthesingle-bondlimit(Science, 2021,DOI:10.1126/science.abd1827)文章来源：谷底国家自然科学基金委员会官网20.哈工大江苏大学Science：单极冲程、电渗泵碳纳米管纱线肌肉江苏大学丁建宁、哈尔滨工业大学冷劲松与美国德克萨斯大学达拉斯分校RayH.Baughman（共同通讯）合作，首次发现通过聚电解质功能化的策略，可实现人工肌肉智能材料的双极（Bipolar）驱动转变为单极（Unipolar）驱动，同时发现了人工肌肉随电容降低，驱动性能增强的反常现象（ScanRateEnhancedStroke,SRES），这一重要突破解决了人工肌肉驱动性能的电容依赖性问题，为后续设计具有无毒、低驱动电压的高性能驱动器提供新的理论基础。
这种硼中心具有硼双羟基结构，南柯并与邻近的双硅羟基形成–B[OH…O(H)–Si]2配位。2021年02月26日，富豪翻身相关成果以题为Quantuminterferencebetweenspin-orbit splitpartialwavesintheF+HD → HF+Dreaction的文章在线发表在Science上。
文献链接：谷底SequentialC–Fbondfunctionalizationsoftrifluoroacetamidesandacetatesviaspin-centershifts（Science,2021,DOI:10.1126/science.abg0781）11.清华大学Science:搅动铁电聚合物清华大学的南策文和沈洋（共同通讯作者）等人在P(VDF-TrFE)铁电聚合物中发现了自组织的环形拓扑纹理，谷底其展现出了具有反耦合手性畴（anticoupledchiraldomains）的同心圆拓扑结构。在Voc=1.240V，南柯FF=0.845的条件下，一个小面积（~0.165cm2）电池的PCE竟然达到了~23.17%。